TK125N60Z1,S1F
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-247
6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
- 型號:
- TK125N60Z1,S1F
- 品牌:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$176.1386 |
| 30+ | NT$98.9535 |
| 120+ | NT$81.9405 |
| 510+ | NT$69.4611 |
| 1020+ | NT$67.8116 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$176.1386
數量:
合計: NT$176
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 20A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 125mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 730µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1620 pF @ 300 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 150W (Tc)
- Operating Temperature
- 150°C
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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