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RCD075N19TL

型號描述:
N-Channel 190 V 7.5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
型號:
RCD075N19TL
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500+NT$15.482
5000+NT$14.384
7500+NT$13.824
12500+NT$13.82
起訂量：2500 倍增量：1
價格: NT$15.482 數量:

合計: NT$38705

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
190 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
CPT3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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