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R6009ENX

型號描述:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
型號:
R6009ENX
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$155.194
10+NT$102.421
100+NT$72.533
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$155.194 數量:

合計: NT$155

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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