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| 50+ | NT$197.1963 |
| 600+ | NT$195.5438 |
| 900+ | NT$194.4421 |
| 1200+ | NT$193.3405 |
起訂量：50
倍增量：1
價格:
NT$197.1963
數量:
合計: NT$9860
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 150 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 44A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 65mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 175 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±15V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 13400 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 298W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-263AA
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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