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| 1+ | NT$161.9415 |
| 10+ | NT$159.9381 |
| 70+ | NT$70.119 |
| 560+ | NT$63.7749 |
| 1050+ | NT$60.102 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$161.9415
數量:
合計: NT$162
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 120mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 39 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±15V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2100 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 83W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-252AA
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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