IXTA1N170DHV
- 型號描述:
- MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
- 型號:
- IXTA1N170DHV
- 品牌:
- IXYS
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 50
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$782.6616 |
| 10+ | NT$501.1839 |
| 100+ | NT$476.4753 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$782.6616
數量:
合計: NT$783
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel, Depletion Mode
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 16Ohm @ 500mA, 0V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 290W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- -
- Supplier Device Package
- TO-263HV
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1700 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 47 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3090 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
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- M6-21-427
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- AFB0924SH-AF00
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- 4922R-08L
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