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IGLR65R200D2XUMA1

型號描述:
N-Channel 650 V 9.2A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-8
GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
型號:
IGLR65R200D2XUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000+NT$28.483
起訂量：5000 倍增量：1
價格: NT$28.483 數量:

合計: NT$142415

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.1A
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 710µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.26 nC @ 3 V
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
91 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSON-8-8
Package / Case
8-PowerTDFN
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