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IGLR65R140D2XUMA1

型號描述:
氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
型號:
IGLR65R140D2XUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000
1+NT$138.158
10+NT$90.688
100+NT$63.411
500+NT$52.075
2500+NT$49.949
5000+NT$42.156
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$138.158 數量:

合計: NT$138

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.8 nC @ 3 V
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
155 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSON-8-8
Package / Case
8-PowerTDFN
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