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IGLR60R340D1XUMA1

型號描述:
MOSFET HV GAN DISCRETES
型號:
IGLR60R340D1XUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000
1+NT$204.402
10+NT$136.386
100+NT$97.773
500+NT$82.186
5000+NT$82.186
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$204.402 數量:

合計: NT$204

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 530µA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
87.7 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41.6W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSON-8-7
Package / Case
8-PowerTDFN
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