BSZ110N06NS3GATMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
- 型號:
- BSZ110N06NS3GATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 5000+ | NT$10.1014 |
| 10000+ | NT$9.4895 |
起訂量：5000
倍增量：1
價格:
NT$10.1014
數量:
合計: NT$50507
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 23µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 33 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2700 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.1W (Ta), 50W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TSDSON-8
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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