BSZ068N06NSATMA1
- 型號描述:
- MOSFET TRENCH 40<-<100V
- 型號:
- BSZ068N06NSATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 5000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$53.7579 |
| 10+ | NT$30.4851 |
| 100+ | NT$23.3396 |
| 500+ | NT$19.8003 |
| 1000+ | NT$17.7301 |
| 2500+ | NT$17.4296 |
| 5000+ | NT$15.3594 |
| 10000+ | NT$14.7918 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$53.7579
數量:
合計: NT$54
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.8mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.3V @ 20µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 21 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1500 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.1W (Ta), 46W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TSDSON-8-FL
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
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