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BSZ086P03NS3EGATMA1

型號描述:
MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
型號:
BSZ086P03NS3EGATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000
1+NT$42.468
10+NT$26.728
100+NT$17.661
500+NT$13.752
1000+NT$11.46
5000+NT$11.392
10000+NT$10.718
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$42.468 數量:

合計: NT$42

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±25V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
Qualification
-
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