SIHP25N50E-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
- 型號:
- SIHP25N50E-GE3
- 品牌:
- Vishay Semiconductor
- 交期:
- 7-10工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 30+ | NT$98.307 |
| 150+ | NT$93.8013 |
| 600+ | NT$90.5244 |
| 1600+ | NT$86.8379 |
| 4800+ | NT$83.561 |
起訂量：30
倍增量：1
價格:
NT$98.307
數量:
合計: NT$2949
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-220-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 26A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 145mOhm @ 12A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 250W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-220AB
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 500 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 86 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1980 pF @ 100 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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