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SIHD12N50E-GE3

型號描述:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
型號:
SIHD12N50E-GE3
品牌:
Vishay / Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$71.6968
10+NT$54.8464
100+NT$37.3352
500+NT$29.9342
1000+NT$27.225
3000+NT$24.2183
6000+NT$23.954
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$71.6968 數量:

合計: NT$72

Packaging
Tube
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TA)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Supplier Device Package
DPAK
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
Qualification
-
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