IPB80N06S2H5ATMA2
- 型號描述:
-
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- 型號:
- IPB80N06S2H5ATMA2
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 55 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.2mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 230µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 155 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4400 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 300W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TO263-3-2
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
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