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IMWH170R1K0M1XKSA1

型號描述:
N-Channel 1700 V 5.4A (Tj) 70W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U04
IMWH170R1K0M1XKSA1
型號:
IMWH170R1K0M1XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$182.0091
30+NT$102.7051
120+NT$85.2459
510+NT$72.4453
1020+NT$71.5369
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$182.0091 數量:

合計: NT$182

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
880mOhm @ 1A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 12 V
Vgs (Max)
15V, 12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
233 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
70W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-U04
Package / Case
TO-247-3
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