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IMW120R220M1HXKSA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
型號:
IMW120R220M1HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$221.0376
10+NT$126.5432
100+NT$98.7896
480+NT$89.208
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$221.0376 數量:

合計: NT$221

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
286mOhm @ 4A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
289 pF @ 800 V
Qualification
-
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