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IMW120R014M1HXKSA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
型號:
IMW120R014M1HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$870.2736
25+NT$562.0104
100+NT$550.7768
240+NT$550.4464
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$870.2736 數量:

合計: NT$870

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
127A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 23.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4580 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
455W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Package / Case
TO-247-3
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