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IMW65R075M2HXKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 26.6A (Tc) 111W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40
IMW65R075M2HXKSA1
型號:
IMW65R075M2HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$220.011
30+NT$125.762
120+NT$105.0219
510+NT$89.8235
1020+NT$88.5168
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$220.011 數量:

合計: NT$220

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 11.9A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 2.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
516 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
111W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-40
Package / Case
TO-247-3
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