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FDD86102LZ

型號描述:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA
型號:
FDD86102LZ
品牌:
onsemi
交期:
7-12工作天
原廠包裝量:
2500
500+NT$35.3796
1000+NT$33.767
2500+NT$30.1508
5000+NT$28.4894
7500+NT$28.3428
10000+NT$28.1962
15000+NT$28.0496
起訂量：500 倍增量：1
價格: NT$35.3796 數量:

合計: NT$17690

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1540 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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