2N5551TA
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
- 型號:
- 2N5551TA
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 2000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 2000+ | NT$1.785 |
| 6000+ | NT$1.715 |
| 10000+ | NT$1.687 |
| 26000+ | NT$1.645 |
| 50000+ | NT$1.584 |
| 100000+ | NT$1.546 |
| 150000+ | NT$1.523 |
| 250000+ | NT$1.499 |
起訂量：2000
倍增量：1
價格:
NT$1.785
數量:
合計: NT$3570
- Transistor Type
- NPN
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 600 mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 160 V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 200mV @ 5mA, 50mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 50nA (ICBO)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 10mA, 5V
- Power - Max
- 625 mW
- Frequency - Transition
- 100MHz
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- Supplier Device Package
- TO-92-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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