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2N5551TA

型號描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
雙極結晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
型號:
2N5551TA
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$9.878
10+NT$5.998
100+NT$3.775
500+NT$2.787
1000+NT$2.47
2000+NT$2.152
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$9.878 數量:

合計: NT$10

Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Power - Max
625 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device Package
TO-92-3
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