- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 7.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 22mOhm @ 4A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 18 nC @ 8 V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 907 pF @ 10 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 660mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- U-DFN2020-6 (Type F)
- Package / Case
- 6-UDFN Exposed Pad
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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