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首頁 > Diodes Incorporated代理商 > DMN10H099SFG-13
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DMN10H099SFG-13

型號描述:
MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
型號:
DMN10H099SFG-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$36.729
10+NT$22.772
100+NT$14.8586
500+NT$11.4194
1000+NT$10.3175
3000+NT$7.5128
9000+NT$7.2122
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$36.729 數量:

合計: NT$37

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1172 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
980mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
POWERDI3333-8
Package / Case
8-PowerVDFN
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