VS-C04ET07T-M3
- 型號描述:
-
Diode 650 V 4A Through Hole TO-220AC
碳化矽肖特基二極管 Si CARBIDE DIODE
- 型號:
- VS-C04ET07T-M3
- 品牌:
- Vishay Semiconductors
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$110.426 |
| 10+ | NT$70.56 |
| 100+ | NT$47.981 |
| 500+ | NT$39.866 |
| 1000+ | NT$37.044 |
| 2000+ | NT$35.633 |
| 5000+ | NT$34.786 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$110.426
數量:
合計: NT$110
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 4A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.7 V @ 4 A
- Speed
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 25 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F
- 170pF @ 1V, 1MHz
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-220-2
- Supplier Device Package
- TO-220AC
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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