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SISA18ADN-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
型號:
SISA18ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$7.5249
6000+NT$6.9212
9000+NT$6.6136
15000+NT$6.2679
21000+NT$6.0632
30000+NT$6.0086
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$7.5249 數量:

合計: NT$22575

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
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