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SIRA18ADP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 30 V 30.6A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
型號:
SIRA18ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$33.648
10+NT$20.979
100+NT$13.631
500+NT$10.467
1000+NT$9.448
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$33.648 數量:

合計: NT$34

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
14.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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