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首頁 > Vishay / Siliconix代理商 > SIR606BDP-T1-RE3
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SIR606BDP-T1-RE3

型號描述:
N-Channel 100 V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
型號:
SIR606BDP-T1-RE3
品牌:
Vishay / Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$70.56
10+NT$45.158
100+NT$30.411
500+NT$24.167
1000+NT$22.685
3000+NT$21.486
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$70.56 數量:

合計: NT$71

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1470 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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