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SIR862DP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
型號:
SIR862DP-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$74.392
10+NT$47.505
100+NT$32.053
500+NT$25.437
1000+NT$23.308
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$74.392 數量:

合計: NT$74

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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