SIHG23N60E-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
- 型號:
- SIHG23N60E-GE3
- 品牌:
- Vishay Semiconductors
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$224.24 |
| 10+ | NT$147.014 |
| 100+ | NT$108.4 |
| 500+ | NT$96.356 |
| 1000+ | NT$86.437 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$224.24
數量:
合計: NT$224
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 158mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 95 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2418 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 227W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TA)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247AC
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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