SIHF7N60E-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
- 型號:
- SIHF7N60E-GE3
- 品牌:
- Vishay / Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1000+ | NT$37.55 |
| 2000+ | NT$36.134 |
| 5000+ | NT$35.425 |
起訂量：1000
倍增量：1000
價格:
NT$37.55
數量:
合計: NT$37550
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 600mOhm @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 40 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 680 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 31W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220 Full Pack
- Package / Case
- TO-220-3 Full Pack
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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