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SI7852DP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
型號:
SI7852DP-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$135.28
10+NT$88.687
100+NT$62.273
500+NT$55.685
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$135.28 數量:

合計: NT$135

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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