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首頁 > Vishay Semiconductors代理商 > SI7852DP-T1-GE3
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SI7852DP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
型號:
SI7852DP-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$144.295
10+NT$96.314
100+NT$80.791
500+NT$75.852
1000+NT$64.21
3000+NT$54.684
6000+NT$53.626
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$144.295 數量:

合計: NT$144

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
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