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首頁 > Vishay Semiconductors代理商 > SI4164DY-T1-GE3
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SI4164DY-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
型號:
SI4164DY-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$76.558
10+NT$54.684
100+NT$36.691
500+NT$29.812
1000+NT$26.425
2500+NT$24.978
5000+NT$24.026
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$76.558 數量:

合計: NT$77

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 15A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package
8-SOIC
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3545 pF @ 15 V
Qualification
-
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