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SI4100DY-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
型號:
SI4100DY-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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