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SI3552BDV-T1-GE3

型號描述:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta), 1.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSF
型號:
SI3552BDV-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$8.502
10+NT$5.774
25+NT$5.101
100+NT$4.357
250+NT$4.007
500+NT$3.795
1000+NT$3.621
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$8.502 數量:

合計: NT$9

Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.4A, 10V, 165mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V, 3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
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