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SI3458BDV-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
型號:
SI3458BDV-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$49.241
10+NT$30.855
100+NT$20.38
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$49.241 數量:

合計: NT$49

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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