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TW083N65C,S1F

型號描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
型號:
TW083N65C,S1F
品牌:
Toshiba
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
30
1+NT$562.622
10+NT$433.402
120+NT$399.678
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$562.622 數量:

合計: NT$563

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
873 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
111W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
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