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TRS2E65F,S1Q

型號描述:
Diode 650 V 2A Through Hole TO-220-2L
DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
型號:
TRS2E65F,S1Q
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$52.214
50+NT$24.523
100+NT$21.802
500+NT$17.024
1000+NT$15.486
2000+NT$14.192
5000+NT$12.791
10000+NT$11.926
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$52.214 數量:

合計: NT$52

Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.6 V @ 2 A
Speed
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
20 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
8.7pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
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