TRS40N120HB,S1Q
- 型號描述:
- 碳化矽肖特基二極管 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
- 型號:
- TRS40N120HB,S1Q
- 品牌:
- Toshiba
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$746.189 |
| 10+ | NT$535.091 |
| 100+ | NT$444.416 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$746.189
數量:
合計: NT$746
- Diode Configuration
- 1 Pair Common Cathode
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 1200 V
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
- 51A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.45 V @ 20 A
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 130 µA @ 1200 V
- Operating Temperature - Junction
- 175°C
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-247-3
- Supplier Device Package
- TO-247
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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