TRS10A65F,S1Q
- 型號描述:
-
Diode 650 V 10A Through Hole TO-220F-2L
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F2L
- 型號:
- TRS10A65F,S1Q
- 品牌:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$127.162 |
| 50+ | NT$63.68 |
| 100+ | NT$57.532 |
| 500+ | NT$46.748 |
| 1000+ | NT$43.284 |
| 2000+ | NT$40.371 |
| 5000+ | NT$37.252 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$127.162
數量:
合計: NT$127
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 10A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.6 V @ 10 A
- Speed
- Zero Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 50 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F
- 36pF @ 650V, 1MHz
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-220-2 Full Pack
- Supplier Device Package
- TO-220F-2L
- Operating Temperature - Junction
- 175°C (Max)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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