STB7NK80Z-1
- 型號描述:
-
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
- 型號:
- STB7NK80Z-1
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 5.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 100µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 56 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1138 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 125W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- I2PAK
- Package / Case
- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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