TP65H070LDG-TR
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
650 V 25 A GAN FET
- 型號:
- TP65H070LDG-TR
- 品牌:
- Renesas Electronics Corporation
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 85mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.8V @ 700µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 9.3 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 600 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 96W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 3-PQFN (8x8)
- Package / Case
- 3-PowerDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
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