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| 5000+ | NT$17.579 |
| 10000+ | NT$16.573 |
| 15000+ | NT$14.062 |
| 20000+ | NT$13.313 |
起訂量：5000
倍增量：1
價格:
NT$17.579
數量:
合計: NT$87895
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 5A (Ta), 15A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 48mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 22 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1256 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2W (Ta), 20W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- DFN3333-8
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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