PJQ1906_R1_00201
- 型號描述:
- MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- 型號:
- PJQ1906_R1_00201
- 品牌:
- Panjit
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 10000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$13.759 |
| 10+ | NT$12.242 |
| 500+ | NT$8.855 |
| 1000+ | NT$6.738 |
| 2500+ | NT$5.927 |
| 5000+ | NT$3.069 |
| 10000+ | NT$1.729 |
| 20000+ | NT$1.658 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$13.759
數量:
合計: NT$14
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 300mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.2V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.9 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 45 pF @ 10 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 700mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- DFN1006-3
- Package / Case
- 3-UFDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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