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GAN080-650EBEZ

型號描述:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
型號:
GAN080-650EBEZ
品牌:
Nexperia USA Inc.
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$283.95
10+NT$192.688
100+NT$141.076
500+NT$137.635
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$283.95 數量:

合計: NT$284

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 8A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 30.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package
DFN8080-8
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
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