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GANB8R0-040CBAZ

型號描述:
N-Channel 40 V 14A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 16-WLCSP (1.7x1.7)
氮化鎵場效應管 40 V, 8.0 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 1.7 mm x 1.7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
型號:
GANB8R0-040CBAZ
品牌:
Nexperia
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$76.1292
10+NT$48.7494
100+NT$33.0561
500+NT$27.5468
1000+NT$25.51
2500+NT$21.6701
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$76.1292 數量:

合計: NT$76

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
566 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
15W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
16-WLCSP (1.7x1.7)
Package / Case
16-UFBGA, WLCSP
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