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IQDH88N06LM5CGSCATMA1

型號描述:
N-Channel 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-U02
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
型號:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$182.084
10+NT$120.728
50+NT$94.323
100+NT$85.817
500+NT$75.295
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$182.084 數量:

合計: NT$182

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Ta), 447A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.86mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 163µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-WHTFN-9-U02
Package / Case
9-PowerWDFN
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