IQD063N15NM5SCATMA1
- 型號描述:
- MOSFET IFX FET >100-150V
- 型號:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 5000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$239.119 |
| 10+ | NT$127.176 |
| 100+ | NT$116.194 |
| 500+ | NT$108.755 |
| 1000+ | NT$102.378 |
| 5000+ | NT$102.378 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$239.119
數量:
合計: NT$239
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 150 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 14.4A (Ta), 151A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 8V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.32mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.6V @ 159µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 60 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4700 pF @ 75 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3W (Ta), 333W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-WHSON-8-U02
- Package / Case
- 8-PowerWDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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