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IQDH45N04LM6CGSCATMA1

型號描述:
N-Channel 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-U02
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
型號:
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$178.188
10+NT$118.001
50+NT$92.091
100+NT$83.752
500+NT$73.1
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$178.188 數量:

合計: NT$178

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
58A (Ta), 611A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1.449mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-WHTFN-9-U02
Package / Case
9-PowerWDFN
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